白山厌氧塔氟硅防腐免喷砂质量放心可靠「金芝麻环保」

银芝麻重防腐涂料——山东金芝麻环保

活性炭有大量的小孔洞，能吸附一些可溶性的胶体和大分子有机物，在一定程度上净化水质，但不能除去所有杂质，如盐等离子就不能除去

活性炭是一种黑色粉状，粒状或丸状或无定形具有多孔的碳。主要成分为碳，还含少量氧、氢、硫、氮、氯。其主要有木材、果壳、煤等经过高温活化而成。碳元素是自然界稳定的元素，活性炭亦有这一特点。活性炭内孔隙结构发达，具有较大的表面积(500～1000米2/克)，甚至更高，有很强的物理吸附性能，能吸附气体、液体或胶态固体；对于气体、液体，吸附物质的质量可接近于活性炭本身的质量。其吸附作用具有选择性，非极性物质比极性物质更易于吸附。在同一系列物质中，沸点越高的物质越容易被吸附，压强越大、温度越低、浓度越大，吸附量越大。反之，减压、升温有利于气体的解吸。

活性炭常用于气体的吸附、分离和提纯、溶剂的回收，糖液、油脂、甘油、的脱色剂，饮用水及冰箱的除臭剂，防毒面具中的滤毒剂、空气净化，还可用作催化剂或金属盐催化剂的载体等。

碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的(CO)。工业盐(NaCl)的作用是便于除去料中存在的氧化铝、氧化铁等杂质。

第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。