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硅化可在普通大气压的碳管炉内进行，硅化温度必须大于2000℃。如果在66.65MPa的真空炉中进行，则硅化温度可降到1500~1600℃。产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0.991~4.699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚，而氮化硼与硅不润湿。硅化所需的时间依据硅化的温度及在该温度下的硅的挥发量的不同而变化。在硅化完成后，坩埚内通常不应该再有硅残留而都蒸发了。由于蒸发而附着在制品表面上的硅可用热的处理除去。自结合碳化硅制品的强度为一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

除了用烧结法制造碳化硅制品以外，自从发明了热压烧结技术以后，碳化硅制品也可以用热压法制造，并且可以获得更优良的烧结性能。热压工艺是把坯料的成型和烧成结合为一个过程，即坯料在高温同时又在压力下一次成型并烧结。这种方法在冶金工业中用于粉末冶金已有数十年的历史，在特种耐火材料工业生产中已经逐步推广应用。采用热压成型烧结，可以缩短制造时间，降结温度，改善制品的显微结构，增加制品的致密度，提高材料的性能。选择适当的温度、压力和坯料粒度等热压工艺条件，就可达到优良的热压效果。热压工艺对难熔化合物的制造特别有用。热压用的模具因为既要经受1000℃以上的高温，并且还要在高温下承受数kN的压力，因此，对制造难熔化合物制品一般均用高强度石墨作模具。

讨论

通过试验可得，碳化硅涂层越薄，吸波能力越低；涂层中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。当涂层厚度与碳化硅含量达到标准时，涂层可承受 250℃高温。在 150℃环境中，厚度为 1mm 的碳化硅涂层吸收强度保持在 20dB 左右。

通过对比分析可知，碳化硅涂层的适吸波能力为1mm，碳化硅涂层的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂层。随着碳化硅涂层厚度的减小，涂层吸收峰的峰位逐渐转为高频。

在一定范围内，吸收峰的峰位变化与碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，则吸收峰峰位向高频移动。相反，涂层厚度与吸收峰的峰位成反比，厚度增加，则吸收峰峰位移向低频段。当涂层厚度 1mm 时，碳化硅涂层的吸波性能佳。