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（一）碳化硅的合成和用途

碳化硅的合成是在一种特殊的电阻炉中进行的，这个炉子实际上就只是一根石墨电阻发热体，它是用石墨颗粒或碳粒堆积成柱状而成的。这根发热体放在中间，上述原料按硅石52%~54%，焦炭35%，木屑11%，工业盐1.5%~4%的比例均匀混合，紧密地充填在石墨发热体的四周。当通电加热后，混合物就进行化学反应，生成碳化硅。其反应式为：

SiO2+3C→SiC+2CO↑

反应的开始温度约在1400℃，产物为低温型的β-SiC，基结晶非常细小，它可以稳定到2100℃，此后慢慢向高温型的α-SiC转化。α-SiC可以稳定到2400℃而不发生显著的分解，至2600℃以上时升华分解，挥发出硅蒸气，残留下石墨。所以一般选择反应的终温度为1900~2200℃。反应合成的产物为块状结晶聚合体，需粉碎成不同粒度的颗粒或粉料，同时除去其中的杂质。

硅化可在普通大气压的碳管炉内进行，硅化温度必须大于2000℃。如果在66.65MPa的真空炉中进行，则硅化温度可降到1500~1600℃。产生硅蒸气所用的硅粉颗粒尺寸为0.991~4.699mm。在大气压力下硅化时，硅粉可装在石墨坩埚里。在真空下硅化时，则应装在氮化硼(BN)坩埚里，因为此时硅会渗入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩埚，而氮化硼与硅不润湿。硅化所需的时间依据硅化的温度及在该温度下的硅的挥发量的不同而变化。在硅化完成后，坩埚内通常不应该再有硅残留而都蒸发了。由于蒸发而附着在制品表面上的硅可用热的处理除去。自结合碳化硅制品的强度为一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

目前，吸波材料在各个领域中的应用越来越广泛。尤其在领域，为了加强自身建设，通常将吸波材料涂层应用于战斗表面，以达到“隐身”的目的。吸波材料在装备力量与电子科技中占据重要地位。

在国际上，美国对吸波材料作为“隐身材料”的应用已经较为成熟，例如，美国将吸波性能良好的碳化硅材料作为涂层涂于***表面，减弱目标向外散发的雷达特征与红外线等，使得敌军无法检测到目标，从而在中占据优势 [1-2]。在海湾和科索沃，人们都可以看到有关“隐身材料”的应用经验。因此，吸波材料作为“隐身”技术的应用越来越重要，为增强我国***实力，建设事业，必须对吸波材料进行深入研究与应用。

较为常见的吸波材料为碳化硅，可以用于一些电子设备、屏蔽设备等，尤其在信息化中，可以减弱目标的光电特征、红外信号等 [3]。碳化硅作为吸波材料，分为不同的类型，如铁磁金属微粉吸波材料、铁氧体吸波材料、纳米吸波材料、多晶铁纤维吸波材料、陶瓷吸波材料、导电高聚物吸波材料。本文就通过试验研究碳化硅涂层的吸波性能，以期为事业作出贡献。