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活性炭有大量的小孔洞，能吸附一些可溶性的胶体和大分子有机物，在一定程度上净化水质，但不能除去所有杂质，如盐等离子就不能除去

活性炭是一种黑色粉状，粒状或丸状或无定形具有多孔的碳。主要成分为碳，还含少量氧、氢、硫、氮、氯。其主要有木材、果壳、煤等经过高温活化而成。碳元素是自然界稳定的元素，活性炭亦有这一特点。活性炭内孔隙结构发达，具有较大的表面积(500～1000米2/克)，甚至更高，有很强的物理吸附性能，能吸附气体、液体或胶态固体；对于气体、液体，吸附物质的质量可接近于活性炭本身的质量。其吸附作用具有选择性，非极性物质比极性物质更易于吸附。在同一系列物质中，沸点越高的物质越容易被吸附，压强越大、温度越低、浓度越大，吸附量越大。反之，减压、升温有利于气体的解吸。

活性炭常用于气体的吸附、分离和提纯、溶剂的回收，糖液、油脂、甘油、的脱色剂，饮用水及冰箱的除臭剂，防毒面具中的滤毒剂、空气净化，还可用作催化剂或金属盐催化剂的载体等。

SiC所具有的高导热性、高强度、热膨胀低、与炉渣难以反映等优良特性被作为炉渣反应和高温剥落严重部位耐火材料的主要原料使用。

随着SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高温下的氧化是SiC质耐火材料损毁室温主要原因，根据热力学计算，SiC在高温下氧化气氛下的不稳定是十分显著的，然后它却可以在1600℃的氧化气氛下长期使用，着很大程度上是由于形成SiO2保护膜的结果。

第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。