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第三代半导体材料，主要代表碳化硅和氮化相对于前两代半导体材料而言，在高温、高压、高频的工作环境下有着明显的优势。

碳化硅早在1842年就被发现了，直到1955年才开发出生长碳化硅晶体材料的方法，1987年商业化生产的的碳化硅才进入市场，21世纪后碳化硅的商业应用才算铺开。

与硅相比，碳化硅具有更高的禁带宽度，禁带宽度越宽，临界击穿电压越大，高电压下可以减少所需器件数目。具有高饱和电子飘逸速度，制作的元件开关速度大约是硅的3-10倍，高压条件下能高频操作，所需的驱动功率小，电路能量损耗低。具有高热导率，可减少所需的冷却系统，也更适用于高功率场景下的使用，一般的硅半导体器件只能在100℃以下正常运行，器件虽然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作温度可达600℃，具有很强的耐热性。并且混合SIC器件体积更小，工作损耗的降低以及工作温度的上升使得集成度提高，体积减小。

(二)制品制造工艺

单纯用α-SiC制造制品，由于其硬度较大，将其磨成微米级细粉相当困难，而且颗粒呈板状或针状，用它压成的坯体，即使在加热到它的分解温度附近，也不会发生明显的收缩，难以烧结，制品的致密化程度低，能力也差。因此，在工业生产制品时，在α-SiC中加入少量的颗粒呈球形的β-SiC细粉和采用添加物的办法来获得致密制品。作为制品结合剂的添加物，按种类可分为氧化物、氮化物、石墨等多种，如粘土、氧化铝、锆英石、莫来石、石灰、玻璃、氮化硅、氧氮化硅、石墨等。成型粘结剂溶液可用羧纤维素、聚乙烯醇、木质素、淀粉、氧化铝溶胶、二氧化硅溶胶等其中的一种或几种。

讨论

通过试验可得，碳化硅涂层越薄，吸波能力越低；涂层中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。当涂层厚度与碳化硅含量达到标准时，涂层可承受 250℃高温。在 150℃环境中，厚度为 1mm 的碳化硅涂层吸收强度保持在 20dB 左右。

通过对比分析可知，碳化硅涂层的适吸波能力为1mm，碳化硅涂层的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂层。随着碳化硅涂层厚度的减小，涂层吸收峰的峰位逐渐转为高频。

在一定范围内，吸收峰的峰位变化与碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，则吸收峰峰位向高频移动。相反，涂层厚度与吸收峰的峰位成反比，厚度增加，则吸收峰峰位移向低频段。当涂层厚度 1mm 时，碳化硅涂层的吸波性能佳。